Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
n-MOS integrated-circuit approach — nMOP integrinių grandynų gamybos būdas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n MOS integrated circuit approach vok. integrierte n Kanal MOS Technik, f rus. способ изготовления n канальных МОП интегральных схем, m pranc. technique… … Radioelektronikos terminų žodynas
technique de fabrication des circuits intégrés n-MOS — nMOP integrinių grandynų gamybos būdas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n MOS integrated circuit approach vok. integrierte n Kanal MOS Technik, f rus. способ изготовления n канальных МОП интегральных схем, m pranc. technique… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
CMOS-Technik — CMOS Technik, COSMOS Technik, in der Halbleitertechnologie und Mikroelektronik Bezeichnung für eine Variante der MOS Technik zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltungen, bei der auf einem gemeinsamen… … Universal-Lexikon
C-MOS — Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS, dt. komplementärer Metall Oxid Halbleiter) ist ein Begriff aus der Elektronik. CMOS Bausteine sind Halbleiterbauelemente, bei denen sowohl p Kanal als auch n Kanal MOSFETs auf einem gemeinsamen… … Deutsch Wikipedia
nMOP integrinių grandynų gamybos būdas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n MOS integrated circuit approach vok. integrierte n Kanal MOS Technik, f rus. способ изготовления n канальных МОП интегральных схем, m pranc. technique de fabrication des circuits intégrés n… … Radioelektronikos terminų žodynas
способ изготовления n-канальных МОП интегральных схем — nMOP integrinių grandynų gamybos būdas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n MOS integrated circuit approach vok. integrierte n Kanal MOS Technik, f rus. способ изготовления n канальных МОП интегральных схем, m pranc. technique… … Radioelektronikos terminų žodynas
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
